ROHM Semiconductor

SiC Power MOSFETs

ROHM’s SiC MOSFETs feature low ON resistance and low switching loss

Image of ROHM Semiconductor's SiC Power MOSFETsROHM’s silicon carbide (SiC) MOSFETs are available in a range of current ratings and packages. They come in a variety of ON resistances and voltage (VDSS) ratings of 650 V, 1,200 V, or 1,700 V. Unlike IGBTs there is no tail current during turn-off resulting in faster operation and reduced switching loss. Also, unlike silicon devices, the ON resistance remains relatively constant even at high temperatures, minimizing conduction losses. Bare dies up to 1,700 V are also available.

Features
  • Fast switching with low loss
  • Maximum junction temperature: +175°C
  • Packaged devices rated at 650 V, 1,200 V, or 1,700 V
  • ON resistance from 17 mΩ to 1,150 mΩ
  • Spice model and thermal model available
  • 3rd gen trench technology with low input capacitance (CISS) and low gate charge (QG)
  • DC blocking voltage: 650 V, 1,200 V, 1,700 V
  • Minimal switching losses
  • Operating temperature range: -40°C to +175°C
Applications
  • Inverters for induction heating
  • Motor drive inverters
  • Bidirectional converters
  • Solar inverters
  • Power conditioners

3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4LSCT3040KRC14SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L801 - Immediate$903.81Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4LSCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L130 - Immediate$370.36Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4LSCT3105KRC14SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L102 - Immediate$446.18Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4LSCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L123 - Immediate$1,001.92Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4LSCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L334 - Immediate$450.14Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 650V 30A TO247-4LSCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L249 - Immediate$421.18Zobrazit podrobnosti

SiC Power MOSFETs Single

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - ImmediateSee Page for PricingZobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2470 - Immediate$304.38Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2470 - Immediate$172.37Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE0 - Immediate$12,741.29Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immediate$72.80Zobrazit podrobnosti

SiC Power MOSFETs Arrays

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE0 - Immediate$6,639.35Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immediate$7,660.65Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immediate$9,306.84Zobrazit podrobnosti
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediate$11,732.71Zobrazit podrobnosti
Updated: 2019-11-01
Published: 2019-04-30

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
SiC Schottky Barrier Diodes ROHM’s SiC Schottky barrier diodes are AEC-Q101 qualified for automotive use.

Related Articles and Blogs

Snížení ztrát, zlepšení účinnosti a rozšíření rozsahu teplot v aplikacích s vysokým výkonem K výraznému zlepšení účinnosti, snížení nákladů a zmenšení velikosti vysokonapěťových řídicích obvodů s vysokým výkonem mohou konstruktéři použít tranzistory MOSFET s karbidem křemíku 4. generace.
Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Polovodiče WBG v letectví a družicích WBG polovodiče přinášejí několik výhod při převodu energie, například zvýšenou hustotu výkonu a účinnost i snížení velikosti a hmotnosti systému.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Trench MOSFETs Minimal reverse recovery behavior of the parasitic diode and supports high-speed switching.