SCT2160KEC je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Rohm Semiconductor
Skladem : 140
Jednotková cena : 301,65000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Rohm Semiconductor
Skladem : 374
Jednotková cena : 406,05000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 290
Jednotková cena : 301,44000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 493,62000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 217
Jednotková cena : 581,61000 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 121
Jednotková cena : 182,92000 Kč
Katalogový list
R6020ENZ4C13
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
R6020ENZ4C13
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2160KEC

Číslo produktu DigiKey
SCT2160KEC-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCT2160KEC
Popis
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
208mOhm při 7A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 2,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1200 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
165W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.