Pole FET, MOSFET

Výsledky : 5 599
Výrobce
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Řada
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)TrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)Karbid křemíku (SiC)MOSFET (oxid kovu)SiCFET (karbid křemíku)
Konfigurace
2 N a 2 P-kanál přizpůsobený pár2 N a 2 P-kanál2 N kanál (Dual Buck Chopper)2 N kanál (fázové rameno)2 N-kanál (Cascoded)2 N-kanál (duální) asymetrický2 N-kanál (duální) přizpůsobený pár2 N-kanál (duální) společný odtok2 N-kanál (duální) společný zdroj2 N-kanál (duální)2 N-kanál (duální), P-kanál2 N-kanál (duální), Schottky
Funkce tranzistoru FET
-Hradlo logické úrovněHradlo logické úrovně, 0,9V pohonHradlo logické úrovně, 1,2V pohonHradlo logické úrovně, 1,5V pohonHradlo logické úrovně, 1,8V pohonHradlo logické úrovně, 10V pohonHradlo logické úrovně, 2,5V pohonHradlo logické úrovně, 4,5V pohonHradlo logické úrovně, 4V pohonHradlo logické úrovně, 5V pohonKarbid křemíku (SiC)Režim spotřeby
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,46mOhm při 160A, 12V0,762mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,580mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,710mOhm při 160A, 12V0,8mOhm při 1200A, 10V0,88mOhm při 160A, 14V, 0,71mOhm při 160A, 14V0,88mOhm při 50A, 10V0,95mOhm při 30A, 10V0,95mOhm při 8A, 4,5V0,99mOhm při 80A, 10V, 1,35mOhm při 80A, 10V1,039mOhm při 160A, 12V, 762µOhm při 160A, 12V1,2mOhm při 800A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
10mV při 10µA10mV při 1µA10mV při 20µA20mV při 10µA20mV při 1µA20mV při 20µA180mV při 1µA200mV při 2,8A, 200mV při 1,9A220mV při 1µA360mV při 1µA380mV při 1µA400mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,4pC při 4,5V, 7,3nC při 4,5V0,45pC při 4,5V0,16nC při 5V, 0,044nC při 5V0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V0,26nC při 2,5V0,28nC při 4,5V0,28nC při 4,5V, 0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V, 0,28nC při 4,5V0,304nC při 4,5V0,31nC při 4,5V0,32nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2,5pF při 5V3pF při 5V5pF při 3V6pF při 3V6,2pF při 10V6,6pF při 10V7pF při 10V7pF při 3V7,1pF při 10V7,4pF při 10V7,5pF při 10V8,5pF při 3V
Výkon - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podložka pro odvod tepla4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Dodávaná velikost pouzdra
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2 x 1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
5 599Výsledky

Zobrazuje se
z 5 599
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Technologie
Konfigurace
Funkce tranzistoru FET
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Výkon - max
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
379 433
Skladem
1 : 6,06000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,36212 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon50V200mA2,2Ohm při 200mA, 4,5V800mV při 1mA-26pF při 10V120mW150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
179 489
Skladem
1 : 7,92000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,43443 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-60V230mA7,5Ohm při 50mA, 5V2V při 250µA-50pF při 25V310mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259 487
Skladem
135 000
Továrna
1 : 8,16000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,44650 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V540mA, 430mA550mOhm při 540mA, 4,5V1V při 250µA-150pF při 16V250mW-65°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 822
Skladem
1 : 8,16000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,20977 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V610mA (Ta)396mOhm při 500mA, 4,5V1V při 250µA2nC při 8V43pF při 10V220mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
60 454
Skladem
1 : 8,39000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,24659 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-30V250mA1,5Ohm při 10mA, 4V1,5V při 100µA1,3nC při 5V33pF při 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28 579
Skladem
1 : 8,39000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,50363 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V320mA1,6Ohm při 500mA, 10V2,4V při 250µA0,8nC při 4,5V50pF při 10V420mW150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q100Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360 100
Skladem
1 : 8,62000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,54821 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon20V250mA (Ta)2,2Ohm při 100mA, 4,5V1V při 1mA-12pF při 10V300mW150°C--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 547
Skladem
12 500
Továrna
1 : 8,62000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 2,32022 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V3,9A70mOhm při 5,3A, 10V3V při 250µA11nC při 10V563pF při 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100 212
Skladem
1 : 8,85000 Kč
Řezaná páska (CT)
8 000 : 1,89441 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon50V200mA2,2Ohm při 200mA, 4,5V800mV při 1mA-26pF při 10V120mW150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 537
Skladem
1 : 9,09000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,99246 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně30V3,8A, 2,5A55mOhm při 3,4A, 10V1,5V při 250µA12,3nC při 10V422pF při 15V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-6 tenký, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30 209
Skladem
1 : 9,09000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 2,46019 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V540mA, 430mA550mOhm při 540mA, 4,5V1V při 250µA2,5nC při 4,5V150pF při 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
173 739
Skladem
2 766 000
Továrna
1 : 9,32000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,67574 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně20V1,03A, 700mA480mOhm při 200mA, 5V900mV při 250µA0,5nC při 4,5V37,1pF při 10V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65 977
Skladem
372 000
Továrna
1 : 9,32000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,51547 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-60V280mA7,5Ohm při 50mA, 5V2,5V při 250µA-50pF při 25V150mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51 992
Skladem
1 : 9,32000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,51174 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál-30V5A32mOhm při 5,8A, 10V1,5V při 250µA-1155pF při 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-VDFN podložka pro odvod teplaDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29 681
Skladem
1 : 9,32000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 3,12399 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V370mA1,4Ohm při 340mA, 10V2,5V při 250µA1,4nC při 10V18,5pF při 30V510mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25 941
Skladem
1 : 9,32000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 3,17261 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)-30V6,2A30mOhm při 5,8A, 10V2V při 250µA10,6nC při 10V500pF při 15V1W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-UDFN podložka pro odvod teplaU-DFN2020-6 (typ B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104 879
Skladem
1 : 9,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,72125 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V300mA3Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0,6nC při 10V20pF při 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68 917
Skladem
1 : 9,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,73038 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně30V100mA4Ohm při 10mA, 4V1,5V při 100µA-8,5pF při 3V150mW150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
66 292
Skladem
1 : 9,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,70533 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 P-kanál (duální)Hradlo logické úrovně50V160mA7,5Ohm při 100A, 10V2,1V při 250µA0,35nC při 5V36pF při 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 894
Skladem
1 : 9,55000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,57807 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanálHradlo logické úrovně30V700mA, 500mA388mOhm při 600mA, 10V2,5V při 250µA1,5nC při 10V28pF při 15V340mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
350 088
Skladem
1 : 9,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,74905 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V320mA1,6Ohm při 300mA, 10V1,5V při 250µA0,8nC při 4,5V50pF při 10V420mW150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257 410
Skladem
1 : 9,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,77818 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně60V300mA (Ta)1,6Ohm při 500mA, 10V2,1V při 250µA0,6nC při 4,5V50pF při 10V295mW150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173 220
Skladem
1 : 9,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 3,33229 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)N a P-kanál, Společný odtokHradlo logické úrovně30V6A, 5,5A30mOhm při 6A, 10V2,4V při 250µA6,3nC při 10V310pF při 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
121 430
Skladem
1 : 9,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 3,27676 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně50V510mA2Ohm při 510mA, 10V2,5V při 250µA1nC při 10V20pF při 25V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-6 tenký, TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
71 478
Skladem
1 : 9,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,16939 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceMOSFET (oxid kovu)2 N-kanál (duální)Hradlo logické úrovně20V860mA350mOhm při 200mA, 4,5V1,5V při 250µA0,72nC při 4,5V34pF při 20V410mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrch6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
Zobrazuje se
z 5 599

Pole FET, MOSFET


Tranzistory řízené polem (FET) jsou elektronické součástky, které k řízení toku proudu používají elektrické pole. Přivedením napětí na svorku hradla se mění vodivost mezi odtokovou a zdrojovou svorkou. Tranzistory FET jsou známé také jako unipolární tranzistory, protože pracují s jedním typem nosiče. Znamená to, že tranzistory FET používají během provozu jako nosiče náboje elektrony nebo díry, nikoli však obojí. Tranzistory řízené polem obvykle vykazují velmi nízkou vstupní impedanci na nízkých kmitočtech.