Pole FET, MOSFET

Výsledky : 5 655
Výrobce
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Řada
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)TrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)Karbid křemíku (SiC)MOSFET (oxid kovu)SiCFET (karbid křemíku)
Konfigurace
2 N a 2 P-kanál2 N a 2 P-kanál přizpůsobený pár2 N kanál (Dual Buck Chopper)2 N kanál (fázové rameno)2 N-kanál2 N-kanál (Cascoded)2 N-kanál (duální)2 N-kanál (duální) asymetrický2 N-kanál (duální) přizpůsobený pár2 N-kanál (duální) společný odtok2 N-kanál (duální) společný zdroj2 N-kanál (duální), P-kanál
Funkce tranzistoru FET
-Hradlo logické úrovněHradlo logické úrovně, 0,9V pohonHradlo logické úrovně, 1,2V pohonHradlo logické úrovně, 1,5V pohonHradlo logické úrovně, 1,8V pohonHradlo logické úrovně, 10V pohonHradlo logické úrovně, 2,5V pohonHradlo logické úrovně, 4,5V pohonHradlo logické úrovně, 4V pohonHradlo logické úrovně, 5V pohonKarbid křemíku (SiC)Režim spotřeby
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,46mOhm při 160A, 12V0,762mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,580mOhm při 160A, 12V0,765mOhm při 160A, 12V, 0,710mOhm při 160A, 12V0,8mOhm při 1200A, 10V0,88mOhm při 160A, 14V, 0,71mOhm při 160A, 14V0,88mOhm při 50A, 10V0,95mOhm při 30A, 10V0,95mOhm při 8A, 4,5V0,99mOhm při 80A, 10V, 1,35mOhm při 80A, 10V1,039mOhm při 160A, 12V, 762µOhm při 160A, 12V1,2mOhm při 800A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
10mV při 10µA10mV při 1µA10mV při 20µA20mV při 10µA20mV při 1µA20mV při 20µA180mV při 1µA200mV při 2,8A, 200mV při 1,9A220mV při 1µA360mV při 1µA380mV při 1µA400mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0,4pC při 4,5V, 7,3nC při 4,5V0,45pC při 4,5V0,16nC při 5V, 0,044nC při 5V0,22nC při 5V, 0,044nC při 5V0,26nC při 2,5V0,28nC při 4,5V0,28nC při 4,5V, 0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V0,3nC při 4,5V, 0,28nC při 4,5V0,304nC při 4,5V0,31nC při 4,5V0,32nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2,5pF při 5V3pF při 5V5pF při 3V6pF při 3V6,2pF při 10V6,6pF při 10V7pF při 10V7pF při 3V7,1pF při 10V7,4pF při 10V7,5pF při 10V8,5pF při 3V
Výkon - max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Pouzdro
4-SMD, Bez přívodů4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podložka pro odvod tepla4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Dodávaná velikost pouzdra
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2 x 1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
5 655Výsledky

Zobrazuje se
z 5 655
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Technologie
Konfigurace
Funkce tranzistoru FET
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Výkon - max
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Pouzdro
Dodávaná velikost pouzdra
69 009
Skladem
1 : 5,33000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,90285 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
300mA
1,5Ohm při 100mA, 10V
2,1V při 250µA
0,6nC při 4,5V
40pF při 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
764 926
Skladem
1 : 6,02000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,32452 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 1,2V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
1V při 1mA
-
25pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
350 012
Skladem
1 : 6,02000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,35393 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 0,9V pohon
50V
200mA
2,2Ohm při 200mA, 4,5V
800mV při 1mA
-
26pF při 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241 865
Skladem
407 500
Továrna
1 : 6,02000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 1,82390 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 P-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
30V
3,9A
70mOhm při 5,3A, 10V
3V při 250µA
11nC při 10V
563pF při 25V
1,1W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
147 638
Skladem
66 000
Továrna
1 : 6,72000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,73581 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
540mA
550mOhm při 540mA, 4,5V
1V při 250µA
-
150pF při 16V
225mW
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 166
Skladem
1 : 6,95000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,77920 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál, Společný odtok
Hradlo logické úrovně
30V
6A, 5,5A
30mOhm při 6A, 10V
2,4V při 250µA
6,3nC při 10V
310pF při 15V
2W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
137 950
Skladem
1 : 7,64000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,38342 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
230mA
7,5Ohm při 50mA, 5V
2V při 250µA
-
50pF při 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
12 039
Skladem
1 : 7,87000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,41245 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukce
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
320mA
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,4V při 250µA
0,8nC při 4,5V
50pF při 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q100
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
66 822
Skladem
1 : 8,11000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,19649 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
610mA (Ta)
396mOhm při 500mA, 4,5V
1V při 250µA
2nC při 8V
43pF při 10V
220mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
25 887
Skladem
1 : 8,11000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 1,44930 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
20V
800mA (Ta)
235mOhm při 800mA, 4,5V, 390mOhm při 800mA, 4,5V
1V při 1mA
1nC při 10V
55pF při 10V, 100pF při 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
ES6
213 307
Skladem
1 : 8,34000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,49320 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně, 1,5V pohon
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm při 100mA, 4,5V
1V při 1mA
-
12pF při 10V
300mW
150°C
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
114 465
Skladem
1 : 8,34000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,23309 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
30V
250mA
1,5Ohm při 10mA, 4V
1,5V při 100µA
1,3nC při 5V
33pF při 5V
272mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
38 268
Skladem
1 : 8,34000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,27339 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
950mA
350mOhm při 950mA, 4,5V
1,2V při 1,6µA
0,32nC při 4,5V
63pF při 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
129 905
Skladem
1 : 8,57000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,57655 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
30V
7A (Ta)
20mOhm při 7A, 10V
2,3V při 250µA
20nC při 10V
600pF při 15V
1,7W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
8-SOIC
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
105 484
Skladem
1 : 8,57000 Kč
Řezaná páska (CT)
5 000 : 2,20956 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál doplňkový
Hradlo logické úrovně
20V
600mA, 500mA
620mOhm při 600mA, 4,5V
950mV při 250µA
0,7nC při 4,5V
21,3pF při 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-XFDFN podložka pro odvod tepla
DFN1010B-6
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
88 519
Skladem
1 : 8,57000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 3,47400 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
20V
485mA
700mOhm při 600mA, 4,5V
900mV při 250µA
0,75nC při 4,5V
-
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
434 469
Skladem
747 000
Továrna
1 : 9,03000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,42609 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0,3nC při 4,5V
30pF při 25V, 25pF při 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
153 534
Skladem
2 367 000
Továrna
1 : 9,03000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,61618 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
20V
1,03A, 700mA
480mOhm při 200mA, 5V
900mV při 250µA
0,5nC při 4,5V
37,1pF při 10V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
84 621
Skladem
1 : 9,03000 Kč
Řezaná páska (CT)
4 000 : 2,44541 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
N a P-kanál
Hradlo logické úrovně
20V
540mA, 430mA
550mOhm při 540mA, 4,5V
1V při 250µA
2,5nC při 4,5V
150pF při 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
60 012
Skladem
1 : 9,03000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,42609 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
60V
280mA
7,5Ohm při 50mA, 5V
2,5V při 250µA
-
50pF při 25V
150mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31 586
Skladem
1 : 9,03000 Kč
Řezaná páska (CT)
5 000 : 2,32563 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
-
30V
590mA
670mOhm při 590mA, 4,5V
950mV při 250µA
1,05nC při 4,5V
30,3pF při 15V
285mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-XFDFN podložka pro odvod tepla
DFN1010B-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
340 645
Skladem
1 : 9,26000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,68690 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
320mA
1,6Ohm při 300mA, 10V
1,5V při 250µA
0,8nC při 4,5V
50pF při 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
26 980
Skladem
1 : 9,26000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 2,49665 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál
-
30V
5A
32mOhm při 5,8A, 10V
1,5V při 250µA
-
1155pF při 15V
1,4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-VDFN podložka pro odvod tepla
DFN2020-6L
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
250 962
Skladem
1 : 9,50000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,71500 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm při 500mA, 10V
2,1V při 250µA
0,6nC při 4,5V
50pF při 10V
295mW
150°C (TJ)
Automobilový průmysl
AEC-Q101
Montáž na povrch
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
89 413
Skladem
1 : 9,50000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,71091 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní
MOSFET (oxid kovu)
2 N-kanál (duální)
Hradlo logické úrovně
60V
300mA
3Ohm při 500mA, 10V
2,5V při 250µA
0,6nC při 10V
20pF při 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montáž na povrch
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
Zobrazuje se
z 5 655

Pole FET, MOSFET


Tranzistory řízené polem (FET) jsou elektronické součástky, které k řízení toku proudu používají elektrické pole. Přivedením napětí na svorku hradla se mění vodivost mezi odtokovou a zdrojovou svorkou. Tranzistory FET jsou známé také jako unipolární tranzistory, protože pracují s jedním typem nosiče. Znamená to, že tranzistory FET používají během provozu jako nosiče náboje elektrony nebo díry, nikoli však obojí. Tranzistory řízené polem obvykle vykazují velmi nízkou vstupní impedanci na nízkých kmitočtech.