Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montáž na šasi Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montáž na šasi Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM080D12P2C008

Číslo produktu DigiKey
BSM080D12P2C008-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSM080D12P2C008
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montáž na šasi Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSM080D12P2C008 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 13,2mA
Výrobce
Rohm Semiconductor
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
800pF při 10V
Balení
Nosič
Výkon - max
600W
Stav součásti
Aktivní
Provozní teplota
175°C (TJ)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Pouzdro
Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
80A (Tc)
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 61
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
16 990,65000 Kč6 990,65 Kč
126 692,79750 Kč80 313,57 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:6 990,65000 Kč
Jednotková cena s DPH:8 458,68650 Kč