Name: BSM080D12P2C008
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM080D12P2C008-ND
Price: 8118.4708 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM080D12P2C008
Číslo produktu DigiKey	BSM080D12P2C008-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BSM080D12P2C008
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSM080D12P2C008 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	4V při 13,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	800pF při 10V
Výkon - max	600W
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	BSM080

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	6 709,48000 Kč	6 709,48 Kč

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.