BSM120D12P2C005
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

Číslo produktu DigiKey
BSM120D12P2C005-ND
Výrobce
Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce
BSM120D12P2C005
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSM120D12P2C005 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
120A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
2,7V při 22mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14000pF při 10V
Výkon - max
780W
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
BSM120
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
17 741,56000 Kč7 741,56 Kč
Jednotková cena bez DPH:7 741,56000 Kč
Jednotková cena s DPH:9 367,28760 Kč