Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

Číslo produktu DigiKey
BSM120D12P2C005-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSM120D12P2C005
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSM120D12P2C005 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
2,7V při 22mA
Výrobce
Rohm Semiconductor
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
14000pF při 10V
Balení
Hromadné balení
Výkon - max
780W
Stav součásti
Aktivní
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Pouzdro
Modul
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Základní číslo produktu
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
120A (Tc)
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 2
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
17 878,66000 Kč7 878,66 Kč
Jednotková cena bez DPH:7 878,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:9 533,17860 Kč