SIC Power Module
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIC Power Module

BSM180D12P3C007

Číslo produktu DigiKey
BSM180D12P3C007-ND
Výrobce
Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce
BSM180D12P3C007
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montáž na povrch Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSM180D12P3C007 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
180A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 50mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
900pF při 10V
Výkon - max
880W
Provozní teplota
175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Základní číslo produktu
BSM180
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 13
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
111 732,71000 Kč11 732,71 Kč
Jednotková cena bez DPH:11 732,71000 Kč
Jednotková cena s DPH:14 196,57910 Kč