Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007-ND
Price: 14346.5102 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM180D12P3C007
Číslo produktu DigiKey	BSM180D12P3C007-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BSM180D12P3C007
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montáž na povrch Modul
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSM180D12P3C007 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 50mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	900pF při 10V
Výkon - max	880W
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	BSM180