Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montáž na povrch Modul
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montáž na povrch Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

Číslo produktu DigiKey
BSM180D12P3C007-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSM180D12P3C007
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montáž na povrch Modul
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSM180D12P3C007 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 50mA
Výrobce
Rohm Semiconductor
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
900pF při 10V
Balení
Hromadné balení
Výkon - max
880W
Stav součásti
Aktivní
Provozní teplota
175°C (TJ)
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Pouzdro
Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Dodávaná velikost pouzdra
Modul
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
180A (Tc)
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 13
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
111 827,33000 Kč11 827,33 Kč
Jednotková cena bez DPH:11 827,33000 Kč
Jednotková cena s DPH:14 311,06930 Kč