SCH2080KEC je zastaralá a již se nevyrábí.
cms-subs-available:

Similar


Rohm Semiconductor
cms-in-stock: 1 253
Jednotková cena : 5,23000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
cms-in-stock: 572
Jednotková cena : 15,81000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
cms-in-stock: 0
Jednotková cena : 29,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
cms-in-stock: 340
Jednotková cena : 13,08000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
cms-in-stock: 488
Jednotková cena : 13,99000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
cms-in-stock: 592
Jednotková cena : 13,20000 Kč
Katalogový list
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Průchozí otvor TO-247
cms-photo-disclaimer
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Průchozí otvor TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCH2080KEC

cms-digikey-product-number
SCH2080KEC-ND
cms-manufacturer
cms-manufacturer-product-number
SCH2080KEC
cms-description
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
117mOhm při 10A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 4,4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1850 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
262W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
Základní číslo produktu
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. cms-view-ph0