SCH2080KEC je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 253
Jednotková cena : 128,62000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 906
Jednotková cena : 330,27000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 721,80000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 340
Jednotková cena : 326,70000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 518
Jednotková cena : 349,43000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 600
Jednotková cena : 337,43000 Kč
Katalogový list
R6020ENZ4C13
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
R6020ENZ4C13
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCH2080KEC

Číslo produktu DigiKey
SCH2080KEC-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCH2080KEC
Popis
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
117mOhm při 10A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 4,4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1850 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
262W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.