Name: BSM180D12P2C101
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P2C101-ND
Price: 11261.2764 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSM180D12P2C101
Číslo produktu DigiKey	BSM180D12P2C101-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BSM180D12P2C101
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1130W Modul
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSM180D12P2C101 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	204A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	4V při 35,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	23000pF při 10V
Výkon - max	1130W
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	BSM180