SCT2750NYTB Rohm Semiconductor | Diskrétní polovodičové produkty

SCT2750NYTB je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

Skladem : 0

Jednotková cena : 40,00000 Kč

Similar

Microchip Technology

Skladem : 214

Jednotková cena : 39,62000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT2750NYTB
Číslo produktu DigiKey	SCT2750NYTBTR-ND - Páska a cívka (TR) SCT2750NYTBCT-ND - Řezaná páska (CT) SCT2750NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SCT2750NYTB
Popis	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 5,9A (Tc) 57W (Tc) Montáž na povrch TO-268
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	975mOhm při 1,7A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 630µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	275 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	57W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-268
Pouzdro	TO-268-3, D3PAK (2 přívody + výstupek), TO-268AA
Základní číslo produktu	SCT2750