SIHP24N65E-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 135,02000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 074
Jednotková cena : 119,06000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 765
Jednotková cena : 159,79000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 776
Jednotková cena : 134,60000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 500
Jednotková cena : 89,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 257
Jednotková cena : 98,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 537
Jednotková cena : 71,39000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 141,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 257
Jednotková cena : 107,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 58,24840 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 5
Jednotková cena : 112,13000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 109,40000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP24N65E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP24N65E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP24N65E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP24N65E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
145mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2740 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1135,02000 Kč135,02 Kč
1090,71100 Kč907,11 Kč
10065,64390 Kč6 564,39 Kč
50054,96310 Kč27 481,55 Kč
1 00053,80738 Kč53 807,38 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:135,02000 Kč
Jednotková cena s DPH:163,37420 Kč