
IPP65R150CFDAAKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPP65R150CFDAAKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP65R150CFDAAKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP65R150CFDAAKSA1 Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 86 nC @ 10 V |
Mfr | Vgs (max) ±20V |
Řada | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2340 pF @ 100 V |
Balení Trubice | Rozptylový výkon (Max) 195,3W (Tc) |
Stav součásti Zastaralé | Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ) |
Typ tranzistoru FET | Třída Automobilový průmysl |
Technologie | Kvalifikace AEC-Q101 |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 150mOhm při 9,3A, 10V | Základní číslo produktu |
Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 900µA |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R145CFD7AAKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R145CFD7AAKSA1-ND | 43,80906 Kč | MFR Recommended |
| FCP165N60E | onsemi | 1 034 | FCP165N60E-ND | 108,45000 Kč | Similar |
| SIHP18N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP18N60E-GE3-ND | 35,97157 Kč | Similar |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 851 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | 110,74000 Kč | Similar |
| STP24N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13556-5-ND | 77,37000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 133,48000 Kč | 133,48 Kč |
| 50 | 69,52380 Kč | 3 476,19 Kč |
| 100 | 63,33610 Kč | 6 333,61 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 133,48000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 161,51080 Kč |



