Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP18N60E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP18N60E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP18N60E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHP18N60E-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 92 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1640 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 179W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 202mOhm při 9A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 23 | TK17E65WS1X-ND | 108,03000 Kč | Direct |
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1514-5-ND | 54,66393 Kč | Similar |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | 88,64000 Kč | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 44,63079 Kč | Similar |
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | 1 477 | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND | 126,59000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 35,97157 Kč | 35 971,57 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 35,97157 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 43,52560 Kč |






