Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPP65R150CFDXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPP65R150CFDXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP65R150CFDXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 900µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 86 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2340 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 195,3W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 150mOhm při 9,3A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND | 111,99000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| FCP110N65F | onsemi | 765 | FCP110N65FOS-ND | 158,71000 Kč | Similar |
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | 133,68000 Kč | Similar |
| FCP165N60E | onsemi | 1 034 | FCP165N60E-ND | 108,45000 Kč | Similar |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | 143,49000 Kč | Similar |









