IPP65R150CFDXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 111,99000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 765
Jednotková cena : 158,71000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 776
Jednotková cena : 133,68000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 034
Jednotková cena : 108,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 143,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 143,49000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 89,05000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 862
Jednotková cena : 88,84000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 373
Jednotková cena : 95,31000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 49
Jednotková cena : 84,26000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 315
Jednotková cena : 104,90000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 23
Jednotková cena : 108,03000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP65R150CFDXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPP65R150CFDXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP65R150CFDXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 900µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2340 pF @ 100 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
195,3W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
150mOhm při 9,3A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (12)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
IPP65R150CFDXKSA2Infineon Technologies0448-IPP65R150CFDXKSA2-ND111,99000 KčParametrický ekvivalent
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-ND158,71000 KčSimilar
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND133,68000 KčSimilar
FCP165N60Eonsemi1 034FCP165N60E-ND108,45000 KčSimilar
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-ND143,49000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.