IPP65R150CFDXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 90,29000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 765
Jednotková cena : 159,79000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 776
Jednotková cena : 134,60000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 034
Jednotková cena : 92,18000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 135,02000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 135,02000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 83,78000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 882
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 379
Jednotková cena : 89,87000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 554
Jednotková cena : 79,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 319
Jednotková cena : 98,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 23
Jednotková cena : 100,37000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP65R150CFDXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPP65R150CFDXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP65R150CFDXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
150mOhm při 9,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 900µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2340 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
195,3W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.