MOSFET (oxid kovu) Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Zobrazuje se

z 40 650

Objednací č. Mfr	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Cena	Řada	Balení	Stav produktu	Typ tranzistoru FET	Technologie	Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	Rds zap (max) při Id, Vgs	Vgs(th) (max) při Id	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	Vgs (max)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	Funkce tranzistoru FET	Rozptylový výkon (Max)	Provozní teplota	Třída	Kvalifikace	Způsob montáže	Dodávaná velikost pouzdra	Pouzdro
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	73 015 Skladem	1 : 2,64000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,52122 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	190mA (Ta)	5V, 10V	4,5Ohm při 100mA, 10V	2,1V při 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	5 186 Skladem	1 : 2,64000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,52122 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5Ohm při 100mA, 10V	2,1V při 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	125 737 Skladem	1 : 2,84000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,52996 Kč Páska a cívka (TR)	U-MOSVII-H	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm při 100mA, 10V	2,1V při 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	137 419 Skladem	1 : 3,05000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,56997 Kč Páska a cívka (TR)	U-MOSVII-H	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm při 100mA, 10V	2,1V při 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	16 402 Skladem	1 : 3,05000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,60788 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	280mA (Ta)	5V, 10V	5Ohm při 500mA, 10V	2,5V při 250µA	-	±30V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	143 434 Skladem	1 : 3,25000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,62805 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm při 500mA, 10V	2,5V při 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	181 745 Skladem	1 : 3,66000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,71864 Kč Páska a cívka (TR)	TrenchMOS™	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6Ohm při 300mA, 10V	1,5V při 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobilový průmysl	AEC-Q101	Montáž na povrch	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	46 987 Skladem	1 : 3,66000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,70699 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5Ohm při 220mA, 10V	1,5V při 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	43 330 Skladem	1 : 3,66000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,71864 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	50 V	360mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6Ohm při 500mA, 10V	1,5V při 250µA	1 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	236mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	18 406 Skladem	1 : 3,66000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,73793 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm při 50mA, 5V	2,5V při 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	3 821 Skladem	1 : 3,66000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,71478 Kč Páska a cívka (TR)	TrenchMOS™	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	350mA (Ta)	10V	1,6Ohm při 500mA, 10V	2,1V při 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	Automobilový průmysl	AEC-Q101	Montáž na povrch	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	100 434 Skladem	1 : 3,86000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,77232 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm při 500mA, 10V	2,5V při 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
NX3020NAKW,115 MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 Nexperia USA Inc.	16 668 Skladem	1 : 3,86000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,75323 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	30 V	180mA (Ta)	2,5V, 10V	4,5Ohm při 100mA, 10V	1,5V při 250µA	0.44 nC @ 4.5 V	±20V	13 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 1,1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-323	SC-70, SOT-323
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	1 071 316 Skladem	1 : 4,06000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,82134 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm při 100mA, 2,5V	1V při 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	126 146 Skladem	1 : 4,06000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,79500 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm při 500mA, 10V	2,3V při 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	68 469 Skladem	1 : 4,06000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,80631 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm při 220mA, 10V	1,5V při 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	40 096 Skladem	1 : 4,06000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,78214 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6Ohm při 115mA, 5V	2V při 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	349 095 Skladem	1 : 4,27000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,84740 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm při 240mA, 10V	2,5V při 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	328 175 Skladem	1 : 4,27000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,87326 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	P-kanál	MOSFET (oxid kovu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm při 100mA, 5V	2V při 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	67 029 Skladem	1 : 4,27000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,82919 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8Ohm při 250mA, 10V	1,5V při 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	84 636 Skladem	1 : 4,47000 Kč Řezaná páska (CT) 8 000 : 0,76609 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	P-kanál	MOSFET (oxid kovu)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,8Ohm při 100mA, 4,5V	1V při 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	VMT3	SOT-723
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	578 471 Skladem	1 : 4,67000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,93900 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5Ohm při 500mA, 10V	2,5V při 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	262 956 Skladem	1 : 4,67000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,90380 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm při 170mA, 10V	2V při 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	205 072 Skladem	1 : 4,67000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 0,92817 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm při 50mA, 5V	2V při 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	SOT-523	SOT-523
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	133 242 Skladem	1 : 4,67000 Kč Řezaná páska (CT) 8 000 : 0,80478 Kč Páska a cívka (TR)	U-MOSIII	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	N-kanál	MOSFET (oxid kovu)	30 V	100mA (Ta)	2,5V, 4V	3,6Ohm při 10mA, 4V	1,5V při 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montáž na povrch	VESM	SOT-723

Zobrazuje se

z 40 650

Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Jednoduché tranzistory s efektem pole (FET) a metaloxidové polovodičové tranzistory s efektem pole (MOSFET) jsou typy tranzistorů používaných k zesilování nebo přepínání elektronických signálů.

Jednoduchý tranzistor FET pracuje na principu řízení toku elektrického proudu mezi svorkou zdroje a odtoku pomocí elektrického pole generovaného napětím přiváděným na svorku hradla. Hlavní výhoda tranzistorů FET spočívá v jejich vysoké vstupní impedanci, čímž se stávají ideálními pro použití v zesilovačích signálu a v analogových obvodech. Tyto tranzistory jsou široce využívány v různých aplikacích, jako jsou zesilovače, oscilátory a oddělovací stupně elektronických obvodů.

Tranzistory MOSFET, které jsou podtypem tranzistorů FET, jsou opatřeny svorkou hradla oddělenou od kanálu tenkou oxidovou vrstvou, díky které nabízejí vyšší výkon a stávají se vysoce účinnými. Tranzistory MOSFET lze dále rozdělit do dvou typů:

N-kanálové tranzistory MOSFET: kde primárními nosiči náboje jsou elektrony.
P-kanálové tranzistory MOSFET: kde primárními nosiči náboje jsou díry.

Tranzistory MOSFET jsou upřednostňovány v mnoha aplikacích díky jejich nízké spotřebě energie, vysokorychlostnímu spínání a schopnosti zpracovávat vysoké proudy a napětí. Mají zásadní význam v digitálních a analogových obvodech včetně napájecích zdrojů, řadičů motorů a radiofrekvenčních aplikací.

Tranzistory MOSFET pracují ve dvou režimech:

Obohacený režim: v tomto režimu je tranzistor MOSFET při nulovém napětí mezi hradlem a zdrojem normálně vypnutý. Přechod do sepnutého stavu vyžaduje kladné napětí (pro N-kanál) nebo záporné napětí (pro P-kanál) mezi hradlem a zdrojem.
Režim vyčerpání: v tomto režimu je tranzistor MOSFET při nulovém napětí mezi hradlem a zdrojem normálně zapnutý. Přivedením napětí s opačnou polaritou mezi hradlo a zdroj může dojít k jeho vypnutí.

Tranzistory MOSFET nabízejí několik výhod, jako například:

Vysoká účinnost: odebírají velmi málo energie a dokáží rychle přepínat mezi stavy, čímž se stávají vysoce účinnými pro aplikace řízení spotřeby energie.
Nízký odpor v zapnutém stavu: tyto tranzistory vykazují nízký odpor v zapnutém stavu, což minimalizuje ztráty energie a vývin tepla.
Vysoká vstupní impedance: izolovaná struktura hradla se projevuje v extrémně vysoké vstupní impedanci, čímž se tranzistory stávají ideálními pro zesilování signálů s vysokou impedancí.

Celkově platí, že jednoduché tranzistory typu FET, zejména MOSFET, jsou základní součástky moderní elektroniky známé pro svou účinnost, rychlost a všestranné využití v široké škále aplikací od zesilování signálu s nízkým výkonem až po spínání a regulaci s vysokým výkonem.

Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás