Name: IPP65R110CFDAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Price: 171.7595 CZK
Availability: OutOfStock

IPP65R110CFDAAKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP65R110CFDAAKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP65R110CFDAAKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	110mOhm při 12,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 1,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3240 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	277,8W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP65R110

Jednotková cena bez DPH:	141,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:	171,75950 Kč

IPP65R110CFDAAKSA1