SIHP30N60E-E3 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 57
Jednotková cena : 159,37000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 045
Jednotková cena : 164,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 996
Jednotková cena : 143,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 375
Jednotková cena : 165,25000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 404
Jednotková cena : 120,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 332
Jednotková cena : 133,34000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 464
Jednotková cena : 101,42000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 135
Jednotková cena : 141,74000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 66
Jednotková cena : 240,01000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 621
Jednotková cena : 246,10000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 000
Jednotková cena : 133,97000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 98
Jednotková cena : 144,47000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP30N60E-E3

Číslo produktu DigiKey
742-SIHP30N60E-E3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP30N60E-E3
Popis
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP30N60E-E3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
125mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2600 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00056,43213 Kč56 432,13 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:56,43213 Kč
Jednotková cena s DPH:68,28288 Kč