
IPP65R125C7XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPP65R125C7XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP65R125C7XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP65R125C7XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 440µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1670 pF @ 400 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 101W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 125mOhm při 8,9A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 211 | IPA65R125C7XKSA1-ND | 126,18000 Kč | MFR Recommended |
| SIHP30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP30N60E-GE3-ND | 148,70000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 118,88000 Kč | 118,88 Kč |
| 50 | 61,56120 Kč | 3 078,06 Kč |
| 100 | 56,01790 Kč | 5 601,79 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 118,88000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 143,84480 Kč |








