
IPP60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPP60R125CPXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP60R125CPXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP60R125CPXKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 1,1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 70 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2500 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 125mOhm při 16A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 045 | 785-1515-5-ND | 163,51000 Kč | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 711 | IRF830APBF-ND | 82,17000 Kč | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 83,42000 Kč | Similar |
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | 1 053 | 846-R6024VNX3C16-ND | 135,35000 Kč | Similar |
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | 69,05256 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 154,75000 Kč | 154,75 Kč |
| 50 | 81,70760 Kč | 4 085,38 Kč |
| 100 | 74,64600 Kč | 7 464,60 Kč |
| 500 | 62,27994 Kč | 31 139,97 Kč |
| 1 000 | 58,31114 Kč | 58 311,14 Kč |
| 2 000 | 54,97614 Kč | 109 952,28 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 154,75000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 187,24750 Kč |

