FCP22N60N je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 733
Jednotková cena : 111,92000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 642
Jednotková cena : 101,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 074
Jednotková cena : 119,06000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 712
Jednotková cena : 65,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 444
Jednotková cena : 80,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 13
Jednotková cena : 87,77000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 219
Jednotková cena : 133,76000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 103,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 349
Jednotková cena : 103,31000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 882
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 379
Jednotková cena : 89,87000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 990
Jednotková cena : 76,64000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 260
Jednotková cena : 158,74000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 554
Jednotková cena : 79,37000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP22N60N

Číslo produktu DigiKey
FCP22N60N-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCP22N60N
Popis
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCP22N60N Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
165mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±45V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1950 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
205W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.