FCP22N60N je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 732
Jednotková cena : 4,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 532
Jednotková cena : 4,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 057
Jednotková cena : 4,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 14 078
Jednotková cena : 3,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 428
Jednotková cena : 3,82000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 507
Jednotková cena : 4,48000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 219
Jednotková cena : 6,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 349
Jednotková cena : 5,27000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 862
Jednotková cena : 3,65000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 373
Jednotková cena : 3,92000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 990
Jednotková cena : 3,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 155
Jednotková cena : 6,93000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 49
Jednotková cena : 3,46000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP22N60N

Číslo produktu DigiKey
FCP22N60N-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCP22N60N
Popis
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCP22N60N Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
45 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±45V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1950 pF @ 100 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
205W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
165mOhm při 11A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (15)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
NTP165N65S3Honsemi732488-NTP165N65S3H-ND4,57000 KčMFR Recommended
AOT20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.532785-1251-5-ND4,15000 KčSimilar
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3 057785-1252-5-ND4,86000 KčSimilar
IPP60R180P7XKSA1Infineon Technologies14 078IPP60R180P7XKSA1-ND3,12000 KčSimilar
IPP60R190C6XKSA1Infineon Technologies2 428IPP60R190C6XKSA1-ND3,82000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.