
SPP20N65C3XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SPP20N65C3XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPP20N65C3XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 20,7A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPP20N65C3XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 114 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2400 pF @ 25 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 190mOhm při 13,1A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP22N65X2 | IXYS | 3 978 | 238-IXFP22N65X2-ND | 157,88000 Kč | Similar |
| SIHP23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 803 | SIHP23N60E-GE3-ND | 94,06000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 128,26000 Kč | 128,26 Kč |
| 50 | 66,54160 Kč | 3 327,08 Kč |
| 100 | 60,56850 Kč | 6 056,85 Kč |
| 500 | 50,10992 Kč | 25 054,96 Kč |
| 1 000 | 46,75198 Kč | 46 751,98 Kč |
| 2 000 | 43,92971 Kč | 87 859,42 Kč |
| 5 000 | 40,87937 Kč | 204 396,85 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 128,26000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 155,19460 Kč |

