
IPP60R190C6XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPP60R190C6XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP60R190C6XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP60R190C6XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 630µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 151W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 190mOhm při 9,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 950 | 497-16348-5-ND | 100,11000 Kč | Direct |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 116,37000 Kč | Similar |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | 110,12000 Kč | Similar |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | 43,32647 Kč | Similar |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 63,40000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 93,02000 Kč | 93,02 Kč |
| 50 | 46,94160 Kč | 2 347,08 Kč |
| 100 | 42,46600 Kč | 4 246,60 Kč |
| 500 | 34,62430 Kč | 17 312,15 Kč |
| 1 000 | 32,10537 Kč | 32 105,37 Kč |
| 2 000 | 29,98792 Kč | 59 975,84 Kč |
| 5 000 | 27,69873 Kč | 138 493,65 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 93,02000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 112,55420 Kč |



