Name: SIHP22N60AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP22N60AE-GE3-ND
Price: 42.86924 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIHP22N60AE-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHP22N60AE-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHP22N60AE-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1451 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	179W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220AB
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	SIHP22

Jednotková cena bez DPH:	35,42912 Kč
Jednotková cena s DPH:	42,86924 Kč

SIHP22N60AE-GE3