
IPP60R190E6XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPP60R190E6XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP60R190E6XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP60R190E6XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 630µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 151W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 190mOhm při 9,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 44,63079 Kč | Direct |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 116,37000 Kč | Similar |
| FCP190N65S3 | onsemi | 635 | FCP190N65S3-ND | 96,98000 Kč | Similar |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | 123,26000 Kč | Similar |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 851 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | 110,74000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 92,81000 Kč | 92,81 Kč |
| 50 | 46,82900 Kč | 2 341,45 Kč |
| 100 | 42,36590 Kč | 4 236,59 Kč |
| 500 | 34,53922 Kč | 17 269,61 Kč |
| 1 000 | 32,02487 Kč | 32 024,87 Kč |
| 2 000 | 29,91169 Kč | 59 823,38 Kč |
| 5 000 | 27,62695 Kč | 138 134,75 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 92,81000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 112,30010 Kč |



