SIHP21N65EF-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 569
Jednotková cena : 4,78000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 266
Jednotková cena : 2,39000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 990
Jednotková cena : 3,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 56 890
Jednotková cena : 1,83336 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,64677 Kč

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,18290 Kč

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 3,66000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 990
Jednotková cena : 3,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 315
Jednotková cena : 4,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 23
Jednotková cena : 4,44000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP21N65EF-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP21N65EF-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP21N65EF-GE3
Popis
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
106 nC @ 10 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
±20V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2322 pF @ 100 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
208W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 11A, 10V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (11)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
FCP190N65Fonsemi569FCP190N65F-ND4,78000 KčSimilar
FCP190N65S3R0onsemi266488-FCP190N65S3R0-ND2,39000 KčSimilar
IPP60R170CFD7XKSA1Infineon Technologies1 990IPP60R170CFD7XKSA1-ND3,49000 KčSimilar
IPP65R190E6XKSA1Rochester Electronics, LLC56 8902156-IPP65R190E6XKSA1-ND1,83336 KčSimilar
IXFP24N60XIXYS0IXFP24N60X-ND2,64677 KčSimilar
Skladem: 0
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1123,26000 Kč123,26 Kč
1082,21200 Kč822,12 Kč
10058,94180 Kč5 894,18 Kč
50049,01752 Kč24 508,76 Kč
1 00045,83226 Kč45 832,26 Kč
2 00043,64014 Kč87 280,28 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:123,26000 Kč
Jednotková cena s DPH:149,14460 Kč