Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP21N65EF-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 106 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2322 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 180mOhm při 11A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,78000 Kč | Similar |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 266 | 488-FCP190N65S3R0-ND | 2,39000 Kč | Similar |
| IPP60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 990 | IPP60R170CFD7XKSA1-ND | 3,49000 Kč | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 1,83336 Kč | Similar |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | 2,64677 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 123,26000 Kč | 123,26 Kč |
| 10 | 82,21200 Kč | 822,12 Kč |
| 100 | 58,94180 Kč | 5 894,18 Kč |
| 500 | 49,01752 Kč | 24 508,76 Kč |
| 1 000 | 45,83226 Kč | 45 832,26 Kč |
| 2 000 | 43,64014 Kč | 87 280,28 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 123,26000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 149,14460 Kč |







