
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP60R199CPXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 16A (Tc) 139W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP60R199CPXKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 660µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 43 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1520 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 139W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 199mOhm při 9,9A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1 429 | FCP190N60EOS-ND | 105,95000 Kč | Similar |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 116,37000 Kč | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 711 | IRF830APBF-ND | 82,17000 Kč | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 83,42000 Kč | Similar |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 63,40000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 109,07000 Kč | 109,07 Kč |
| 50 | 55,71340 Kč | 2 785,67 Kč |
| 100 | 50,55580 Kč | 5 055,58 Kč |
| 500 | 41,51830 Kč | 20 759,15 Kč |
| 1 000 | 38,61584 Kč | 38 615,84 Kč |
| 2 000 | 36,17637 Kč | 72 352,74 Kč |
| 5 000 | 33,53894 Kč | 167 694,70 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 109,07000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 131,97470 Kč |

