IXKP20N60C5 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


IXYS
Skladem : 26
Jednotková cena : 123,26000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 1 993
Jednotková cena : 94,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 642
Jednotková cena : 101,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 074
Jednotková cena : 119,06000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 790
Jednotková cena : 150,14000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 432
Jednotková cena : 106,67000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 333
Jednotková cena : 58,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 103,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 135,02000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 670
Jednotková cena : 83,78000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 109,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 882
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 600
Jednotková cena : 72,86000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 112
Jednotková cena : 143,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 20A (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXKP20N60C5

Číslo produktu DigiKey
IXKP20N60C5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXKP20N60C5
Popis
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 20A (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
200mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 1,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1520 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
-
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné