
SPP24N60C3XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-SPP24N60C3XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPP24N60C3XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 24,3A (Tc) 240W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPP24N60C3XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 1,2mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 135 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3000 pF @ 25 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 240W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 160mOhm při 15,4A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | 3,64000 Kč | MFR Recommended |
| FCP165N60E | onsemi | 1 034 | FCP165N60E-ND | 4,45000 Kč | Direct |
| FCP170N60 | onsemi | 790 | FCP170N60-ND | 6,13000 Kč | Direct |
| SIHP28N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP28N65EF-GE3-ND | 3,06214 Kč | Direct |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,78000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 131,39000 Kč | 131,39 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 131,39000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 158,98190 Kč |








