Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP28N65EF-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP28N65EF-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP28N65EF-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHP28N65EF-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 146 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3249 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 117mOhm při 14A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N60E | onsemi | 243 | FCP099N60E-ND | 138,48000 Kč | Similar |
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND | 150,58000 Kč | Similar |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 450 | IPP60R099CPXKSA1-ND | 191,66000 Kč | Similar |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15561-5-ND | 136,19000 Kč | Similar |
| TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK25E60XS1X-ND | 137,44000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 74,54465 Kč | 74 544,65 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 74,54465 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 90,19903 Kč |






