VideoLibrary

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

7/21/2023 3:48:29 PM

Part List

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-30 - Immediate$453.13Zobrazit podrobnosti
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET362 - Immediate$453.13Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN0 - ImmediateSee Page for PricingZobrazit podrobnosti
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET545 - Immediate$296.68Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88623 - Immediate$296.68Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmediateSee Page for PricingZobrazit podrobnosti
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET444 - Immediate$218.66Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3390 - Immediate$385.17Zobrazit podrobnosti
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET28 - Immediate$413.09Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-30 - Immediate$209.16Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-30 - Immediate$476.74Zobrazit podrobnosti
GAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-2201363 - Immediate$94.03Zobrazit podrobnosti
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET263 - Immediate$295.24Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN1119 - Immediate$41.68Zobrazit podrobnosti
GAN FET N-CH 650V PQFNTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN2366 - Immediate$103.89Zobrazit podrobnosti
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FET376 - Immediate$119.70Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN9 - Immediate$241.04Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB0 - ImmediateSee Page for PricingZobrazit podrobnosti
EVAL BOARD FOR TP65H035WSTDTTP4000W066C-KITEVAL BOARD FOR TP65H035WS5 - Immediate$30,304.49Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - ImmediateSee Page for PricingZobrazit podrobnosti

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Publish Date: 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

Publish Date: 2023-07-21

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions
Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

Publish Date: 2023-05-17

Related Product Highlight

SuperGaN® Evaluation Boards and Kits Transphorm’s SuperGaN® evaluation boards and kits deliver an easy-to-use platform to investigate the benefits of GaN with various topologies.
TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET Transphorm’s SuperGaN® FET offers high reliability, high efficiency, and high voltage power conversion in an easy-to-drive JEDEC-qualified device.
TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board Transphorm's TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN evaluation board is suitable for applications such as datacenter power supplies.

Related Articles and Blogs

Polovodiče se širokým zakázaným pásmem zvyšují efektivitu v datových centrech Vzhledem k tomu, že datová centra mají obrovské energetické nároky, pro napájení jsou nutná řešení, která dokáží snížit ztráty energie, zvýšit účinnost a zlepšit tepelnou regulaci.
Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Navrhujte efektivnější kompenzaci účiníku pomocí širokopásmových polovodičů a digitální regulace Využívání digitální regulace a širokopásmových výkonových polovodičů k návrhu obvodů kompenzace účiníku, které efektivně splní aktuální předpisy.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.