Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 127.6913 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H150G4LSG
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H150G4LSG
Popis	GAN FET N-CH 650V PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TP65H150G4LSG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,8V při 500µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 598 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 52W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 13A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 3-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 3-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 180mOhm při 8,5A, 10V	Základní číslo produktu TP65H150