Name: TP70H300G4LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP70H300G4LSG-TR-ND
Price: 69.9017 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

N-kanál 700 V 8A (Tc) 31,2W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP70H300G4LSG-TR
Číslo produktu DigiKey	1707-TP70H300G4LSG-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP70H300G4LSG-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP70H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP70H300G4LSG-TR
Popis	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	6 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 700 V 8A (Tc) 31,2W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 312mOhm při 5A, 6V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 500µA
Řada SuperGaN®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5.4 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 487 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 31,2W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 700 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 3-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 3-PowerTDFN