Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 127.534 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TP65H150G4LSG
cms-digikey-product-number	1707-TP65H150G4LSG-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Renesas Electronics Corporation
cms-manufacturer-product-number	TP65H150G4LSG
cms-description	GAN FET N-CH 650V PQFN
cms-standard-lead-time	16 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	TP65H150G4LSG Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 8,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,8V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	598 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	3-PQFN (8x8)
Pouzdro	3-PowerTDFN
Základní číslo produktu	TP65H150

Jednotková cena bez DPH:	105,40000 Kč
Jednotková cena s DPH:	127,53400 Kč

TP65H150G4LSG