Name: TP65H150G4LSGBE-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSGBE-TR-ND
Price: 106.238 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

N-kanál 650 V 14,2A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (8x8)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H150G4LSGBE-TR
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H150G4LSGBE-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H150G4LSGBE-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H150G4LSGBE-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H150G4LSGBE-TR
Popis	650V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Standardní dodací lhůta výrobce	5 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 14,2A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 180mOhm při 10A, 6V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max) při Id 2V při 500µA
Řada SuperGaN®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1160 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 62,5W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 14,2A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 8-VDFN podložka pro odvod tepla