TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP90H050WS
Číslo produktu DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP90H050WS
Popis	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	900 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	34A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	63mOhm při 22A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 700µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	980 pF @ 600 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	119W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-3
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	TP90H050