TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP90H050WS
Číslo produktu DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP90H050WS
Popis	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 700µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17.5 nC @ 10 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 980 pF @ 600 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 119W (Tc)
Technologie GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 900 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 34A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-247-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 63mOhm při 22A, 10V	Základní číslo produktu TP90H050

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí.

TP90H050WS