Name: TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H015G5WS-ND
Price: 613.8451 CZK
Availability: InStock

N-kanál 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H015G5WS
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H015G5WS-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H015G5WS
Popis	650 V 95 A GAN FET
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 60A, 10V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max) při Id 4,8V při 2mA
Řada SuperGaN™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 100 nC @ 10 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5218 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 266W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 93A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-247-3

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 317

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	507,31000 Kč	507,31 Kč
30	322,12333 Kč	9 663,70 Kč
120	281,65667 Kč	33 798,80 Kč
510	276,85986 Kč	141 198,53 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.