TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H070G4PS

Číslo produktu DigiKey
1707-TP65H070G4PS-ND
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce
TP65H070G4PS
Popis
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Řada
SuperGaN®
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
85mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,7V při 700µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
638 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 767
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1206,92000 Kč206,92 Kč
50114,65520 Kč5 732,76 Kč
100105,76570 Kč10 576,57 Kč
50094,72500 Kč47 362,50 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:206,92000 Kč
Jednotková cena s DPH:250,37320 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
TP65H150G4PS

TP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

Renesas Electronics Corporation

168,82000 Kč
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

678,86000 Kč
TP65H070G4QS-TR

TP65H070G4QS-TR

650 V 29 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

206,08000 Kč
TP65H100G4PS

TP65H100G4PS

Hi Volt FETs

Renesas Electronics Corporation

165,45000 Kč
CDFG6558N TR13 PBFREE

CDFG6558N TR13 PBFREE

GANFET N-CH 650V 29A 8DFN

Central Semiconductor Corp

229,02000 Kč
CDF56G6511N TR13 PBFREE

CDF56G6511N TR13 PBFREE

650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN

Central Semiconductor Corp

104,41000 Kč
CGD65A055SH2

CGD65A055SH2

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

265,23000 Kč
TP65H070G4RS-TR

TP65H070G4RS-TR

650 V 29 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

210,50000 Kč
TP65H070G4LSGB-TR

TP65H070G4LSGB-TR

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Renesas Electronics Corporation

245,02000 Kč
TP65H050G4WS

TP65H050G4WS

650 V 34 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

336,17000 Kč