N-kanál 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H100G4PS

Číslo produktu DigiKey
1707-TP65H100G4PS-ND
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce
TP65H100G4PS
Popis
Hi Volt FETs
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Řada
SuperGaN®
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
18,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,1V při 1,8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
818 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
65,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 000
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1139,01000 Kč139,01 Kč
5073,68200 Kč3 684,10 Kč
10067,37000 Kč6 737,00 Kč
50056,31412 Kč28 157,06 Kč
1 00052,76566 Kč52 765,66 Kč
2 00051,18263 Kč102 365,26 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:139,01000 Kč
Jednotková cena s DPH:168,20210 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
TP65H150G4PS

TP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

Renesas Electronics Corporation

96,17000 Kč
TP65H070G4PS

TP65H070G4PS

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Renesas Electronics Corporation

168,61000 Kč
TP65H050G4WS

TP65H050G4WS

650 V 34 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

223,63000 Kč
AMTP65H150G4PS

AMTP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

Analog Power Inc.

216,91000 Kč
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

495,97000 Kč
TP70H150G4LSG-TR

TP70H150G4LSG-TR

700V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF

Renesas Electronics Corporation

82,73000 Kč
TP65H030G4PWS

TP65H030G4PWS

GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3

Renesas Electronics Corporation

213,34000 Kč
TP65H050G4YS

TP65H050G4YS

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

Renesas Electronics Corporation

219,43000 Kč
TP65H035G4WS

TP65H035G4WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Renesas Electronics Corporation

270,87000 Kč