Name: IGLT65R055B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R055B2AUMA1TR-ND
Price: 282.7286 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGLT65R055B2AUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGLT65R055B2AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGLT65R055B2AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGLT65R055B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGLT65R055B2AUMA1
Popis	HV GAN DISCRETES
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 21,8A (Tc) 135W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-16-9
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5.4 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	346 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	135W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-16-9
Pouzdro	16-PowerSOP modul