TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H035G4WSQA
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H035G4WSQA
Popis	650 V 46.5 GAN FET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	47,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	41mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,8V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1500 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	187W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-3
Pouzdro	TO-247-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 28

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	423,53000 Kč	423,53 Kč

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.