TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

TP65H300G4LSG-TR není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 2 295

Jednotková cena : 2,16000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H300G4LSG-TR
Číslo produktu DigiKey	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Páska a cívka (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Řezaná páska (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	TP65H300G4LSG-TR
Popis	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Montáž na povrch 3-PQFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TP65H300G4LSG-TR Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 500µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9.6 nC @ 8 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±18V
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 760 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 21W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 3-PQFN (8x8)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V	Pouzdro 3-PowerDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 312mOhm při 5A, 8V	Základní číslo produktu TP65H300