N-kanál 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H050G4BS

Číslo produktu DigiKey
1707-TP65H050G4BS-ND
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce
TP65H050G4BS
Popis
650 V 34 A GAN FET
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Řada
SuperGaN®
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
34A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
60mOhm při 22A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,8V při 700µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1000 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
119W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
TP65H050
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 213
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1301,95000 Kč301,95 Kč
50173,70800 Kč8 685,40 Kč
100161,39060 Kč16 139,06 Kč
500155,12272 Kč77 561,36 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:301,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:365,35950 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
8 Položky
TP65H030G4PRS-TR

TP65H030G4PRS-TR

GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT

Renesas Electronics Corporation

209,14000 Kč
IGD70R140D2SAUMA1

IGD70R140D2SAUMA1

GANFET N-CH 700V 10A T0252-3

Infineon Technologies

56,27000 Kč
TP65H030G4PQS-TR

TP65H030G4PQS-TR

GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL

Renesas Electronics Corporation

207,67000 Kč
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

463,43000 Kč
GAN039-650NBBHP

GAN039-650NBBHP

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Nexperia USA Inc.

296,70000 Kč
TP65H070G4PS

TP65H070G4PS

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Renesas Electronics Corporation

157,69000 Kč
TP65H050G4WS

TP65H050G4WS

650 V 34 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

223,63000 Kč
TP65H150G4PS

TP65H150G4PS

GAN FET N-CH 650V TO-220

Renesas Electronics Corporation

96,17000 Kč