SIHP12N60E-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Direct


Vishay Siliconix
Skladem : 893
Jednotková cena : 76,43000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 29,22796 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 67
Jednotková cena : 91,97000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 31,73554 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 602
Jednotková cena : 87,77000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 052
Jednotková cena : 92,60000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 299
Jednotková cena : 81,05000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 739
Jednotková cena : 92,18000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,68716 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 990
Jednotková cena : 72,02000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP12N60E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP12N60E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP12N60E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHP12N60E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
380mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
937 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
147W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
176,43000 Kč76,43 Kč
5038,39280 Kč1 919,64 Kč
10034,70130 Kč3 470,13 Kč
50028,23098 Kč14 115,49 Kč
1 00026,15238 Kč26 152,38 Kč
2 00024,40514 Kč48 810,28 Kč
5 00022,83533 Kč114 176,65 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:76,43000 Kč
Jednotková cena s DPH:92,48030 Kč