IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPP60R280C6XKSA1
cms-digikey-product-number	IPP60R280C6XKSA1-ND
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPP60R280C6XKSA1
cms-description	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IPP60R280C6XKSA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	280mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 430µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	950 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP60R280