
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP60R299CPXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP60R299CPXKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 440µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 29 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1100 pF @ 100 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 96W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 299mOhm při 6,6A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 63,83000 Kč | MFR Recommended |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1 511 | 497-13779-5-ND | 90,92000 Kč | Direct |
| FCP11N60 | onsemi | 1 602 | FCP11N60-ND | 87,77000 Kč | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 82,73000 Kč | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 83,99000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 79,58000 Kč | 79,58 Kč |
| 50 | 39,72820 Kč | 1 986,41 Kč |
| 100 | 35,86670 Kč | 3 586,67 Kč |
| 500 | 29,10196 Kč | 14 550,98 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 79,58000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 96,29180 Kč |

