IPP60R280E6XKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 500
Jednotková cena : 50,62000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 190
Jednotková cena : 84,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 285
Jednotková cena : 50,83000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 586
Jednotková cena : 28,33000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 879
Jednotková cena : 82,90000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 051
Jednotková cena : 115,19000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 94
Jednotková cena : 128,10000 Kč
Katalogový list
PG-TO220-3-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP60R280E6XKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPP60R280E6XKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP60R280E6XKSA1
Popis
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP60R280E6XKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
280mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 430µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
950 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.