
AOT15S65L | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 785-1511-5-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | AOT15S65L |
Popis | MOSFET N-CH 650V 15A TO220 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 15A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17.2 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 841 pF @ 100 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 290mOhm při 7,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPP65R225C7XKSA1-ND | 80,71000 Kč | Similar |
| SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-E3-ND | 75,91000 Kč | Similar |
| SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-GE3-ND | 75,91000 Kč | Similar |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | 87,80000 Kč | Similar |
| STP15N65M5 | STMicroelectronics | 816 | 497-12936-5-ND | 70,07000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 85,30000 Kč | 85,30 Kč |
| 10 | 56,08000 Kč | 560,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 85,30000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 103,21300 Kč |

