Name: IPP65R225C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R225C7XKSA1-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: OutOfStock

IPP65R225C7XKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP65R225C7XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP65R225C7XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP65R225C7XKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C7
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	225mOhm při 4,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 240µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	996 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	63W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP65R225

Jednotková cena bez DPH:	65,09000 Kč
Jednotková cena s DPH:	78,75890 Kč

IPP65R225C7XKSA1