MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

FCP9N60N | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FCP9N60N-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FCP9N60N |
Popis | MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 9A (Tc) 83,3W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FCP9N60N Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 29 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1240 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 83,3W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 385mOhm při 4,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP360N65S3R0 | onsemi | 293 | FCP360N65S3R0-ND | 72,44000 Kč | MFR Recommended |
| AOT11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 995 | 785-1250-5-ND | 75,59000 Kč | Similar |
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | 990 | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND | 79,58000 Kč | Similar |
| IXTP12N65X2 | IXYS | 0 | IXTP12N65X2-ND | 52,04633 Kč | Similar |
| SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-GE3-ND | 76,43000 Kč | Similar |







