IRF830A je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


Vishay Siliconix
Skladem : 1 855
Jednotková cena : 24,26000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 954
Jednotková cena : 15,77000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 424
Jednotková cena : 26,34000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 10,19247 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 719
Jednotková cena : 97,39000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 43,56796 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 57,57372 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 578
Jednotková cena : 99,82000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 260
Jednotková cena : 69,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 368
Jednotková cena : 70,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 000
Jednotková cena : 53,90000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 16,95360 Kč
Katalogový list
SIHP23N60E-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF830A

Číslo produktu DigiKey
IRF830A-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF830A
Popis
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRF830A Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
620 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
74W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Chcete-li požádat o cenovou nabídku, Přihlaste se nebo se Zaregistrujte