IRF830A je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


Vishay Siliconix
Skladem : 1 731
Jednotková cena : 60,89000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 400
Jednotková cena : 34,23000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 12,34976 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 634
Jednotková cena : 118,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 52,78940 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 69,75956 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 382
Jednotková cena : 120,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 257
Jednotková cena : 95,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 13
Jednotková cena : 85,25000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 994
Jednotková cena : 65,30000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 20,54192 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF830A

Číslo produktu DigiKey
IRF830A-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF830A
Popis
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRF830A Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
620 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
74W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Chcete-li požádat o cenovou nabídku, Přihlaste se nebo se Zaregistrujte