IPP60R385CPXKSA1 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct

STP10NK80Z
STMicroelectronics
Skladem : 923
Jednotková cena : 111,08000 Kč
Katalogový list

Similar

IRF830A
Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar

IRF830APBF
Vishay Siliconix
Skladem : 1 731
Jednotková cena : 60,89000 Kč
Katalogový list

Similar

IRFBC30APBF
Vishay Siliconix
Skladem : 735
Jednotková cena : 78,53000 Kč
Katalogový list

Similar

IXTP12N65X2
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 41,82170 Kč
Katalogový list

Similar

IXTP12N70X2M
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 53,30273 Kč
Katalogový list

Similar

SIHP12N65E-GE3
Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,09000 Kč
Katalogový list

Similar

STP12N65M5
STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 25,53609 Kč
Katalogový list

Similar

STP13N60M2
STMicroelectronics
Skladem : 594
Jednotková cena : 48,93000 Kč
Katalogový list

Similar

STP13NM60N
STMicroelectronics
Skladem : 1 322
Jednotková cena : 105,83000 Kč
Katalogový list

Similar

TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 49
Jednotková cena : 96,80000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 650 V 9A (Tc) 83W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP60R385CPXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPP60R385CPXKSA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPP60R385CPXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 9A (Tc) 83W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP60R385CPXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolMOS™
Balení
Trubice
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
385mOhm při 5,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 340µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
790 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
IPP60R385
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
50020,54192 Kč10 270,96 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:20,54192 Kč
Jednotková cena s DPH:24,85572 Kč